প্রথমত, চৌম্বকীয় পদার্থের মৌলিক বৈশিষ্ট্য
1. চৌম্বকীয় পদার্থের চৌম্বকীয়করণ বক্ররেখা
চৌম্বকীয় মূল উপাদানগুলি ফেরোম্যাগনেটিক পদার্থ বা ফেরোম্যাগনেটিক পদার্থের সমন্বয়ে গঠিত, বাহ্যিক চৌম্বক ক্ষেত্রের H এর ক্রিয়াকলাপের অধীনে, একটি অনুরূপ চৌম্বককরণ M বা চৌম্বকীয় আবেশ তীব্রতা B থাকতে হবে, তারা চৌম্বকীয় ক্ষেত্রের শক্তি H বক্ররেখার সাথে পরিবর্তিত হয় যাকে বলা হয় চৌম্বকীয় বক্ররেখা (M ~ H বা B ~ H বক্ররেখা)। চৌম্বকীয়করণ বক্ররেখা সাধারণত অরৈখিক হয় এবং এর দুটি বৈশিষ্ট্য রয়েছে: চৌম্বকীয় স্যাচুরেশন ঘটনা এবং হিস্টেরেসিস ঘটনা। অর্থাৎ, যখন চৌম্বক ক্ষেত্রের তীব্রতা H যথেষ্ট বড় হয়, তখন চুম্বকীয়করণের তীব্রতা M একটি নির্দিষ্ট স্যাচুরেশন মান Ms-এ পৌঁছায় এবং H বৃদ্ধি করতে থাকে এবং Ms অপরিবর্তিত থাকে। যখন উপাদানটির M মান সম্পৃক্ততায় পৌঁছায়, এবং বাহ্যিক চৌম্বক ক্ষেত্র H শূন্যে নেমে আসে, তখন M শূন্যে ফিরে আসে না, কিন্তু Ms-Mr বক্ররেখা বরাবর পরিবর্তিত হয়। উপাদানটির কার্যকারী অবস্থা এমএইচ বক্ররেখা বা বিএইচ বক্ররেখার একটি নির্দিষ্ট বিন্দুর সমতুল্য, যাকে প্রায়শই কার্যকারী বিন্দু বলা হয়।
দ্বিতীয়ত, নরম চৌম্বকীয় পদার্থের সাধারণ চৌম্বকীয় পরামিতি
স্যাচুরেশন ম্যাগনেটিক ইন্ডাকশন ইনটেনসিটি Bs: এর আকার উপাদানের গঠনের উপর নির্ভর করে এবং এর অনুরূপ ভৌত অবস্থা হল ম্যাগনেটিজেশন ভেক্টরটি উপাদানের ভিতরে সুন্দরভাবে সাজানো।
অবশিষ্ট চৌম্বকীয় আবেশ Br: হিস্টেরেসিস লুপের বৈশিষ্ট্যগত প্যারামিটার, যখন H 0 এ ফিরে আসে তখন B মান।
আয়তক্ষেত্র অনুপাত: Br/Bs
জবরদস্তি বল Hc: উপাদানের গঠন এবং ত্রুটির (অমেধ্য, চাপ, ইত্যাদি) উপর নির্ভর করে একটি উপাদান চুম্বকীয়করণের অসুবিধা নির্দেশ করে এমন পরিমাণ।
ব্যাপ্তিযোগ্যতা μ : হিস্টেরেসিস লুপের যেকোনো বিন্দুর সাথে B থেকে H এর অনুপাত, এবং এটি ডিভাইসের অপারেটিং অবস্থার সাথে ঘনিষ্ঠভাবে সম্পর্কিত।
প্রাথমিক ব্যাপ্তিযোগ্যতা μi, সর্বোচ্চ ব্যাপ্তিযোগ্যতা μm, ডিফারেনশিয়াল ব্যাপ্তিযোগ্যতা μd, প্রশস্ততা ব্যাপ্তিযোগ্যতা μa, কার্যকর ব্যাপ্তিযোগ্যতা μe, নাড়ি ব্যাপ্তিযোগ্যতা μp।
কিউরি তাপমাত্রা Tc: ফেরোম্যাগনেটিক পদার্থের চৌম্বকীয়করণ তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে হ্রাস পায় এবং একটি নির্দিষ্ট তাপমাত্রায় পৌঁছালে, স্বতঃস্ফূর্ত চুম্বককরণ অদৃশ্য হয়ে যায় এবং প্যারাম্যাগনেটিজমে পরিণত হয় এবং গুরুত্বপূর্ণ তাপমাত্রা হল কুরি তাপমাত্রা। এটি উচ্চ সীমা তাপমাত্রা নির্ধারণ করে যেখানে চৌম্বকীয় ডিভাইসটি কাজ করতে পারে।